Moduł DDR4 został wyprodukowany w technologii 30 nm. Dzięki nowej architekturze obwodu będzie w stanie wykonać operacje z prędkością 1,6 - 3,2 Gb/s. Obecnie DDR3 osiąga prędkość 1,6 Gb/s, a DDR2 800 Mb/s.

Nowa pamięć DDR4 uzyska transfer 2,133 Gb/s przy napięciu 1,2 V. Pamięć DDR3 rozpędzała się do 1,6 Gb/s przy 1,35 V do 1,5 V. W notebookach moduł DDR4 redukuje zużycie energii o 40 % w porównaniu z DDR3 1,5 V.

W nowym module zastosowano Pseudo Open Drain (POD). Jest to nowa technologia, która została wprowadzona w wysokowydajnych pamięciach graficznych. Pozwala ona zużywać tylko połowę prądu elektrycznego, który potrzebny jest modułowi DDR3 do zapisywania i odczytywania danych.

Samsung podał, że w grudniu przekazał 2GB moduł pamięci DDR4 1,2 V do testów. Koreańska firma zapowiada, że będzie dążyła do tego, by w drugiej połowie 2011 roku organizacja JEDEC wprowadziła standardy dla nowej pamięci operacyjnej. Samsung chce jak najwcześniej wprowadzić DDR4 do powszechnego użycia.