IM Flash Technologies zapowiada, że produkcja układów flash opartych na nowej technologii ruszy pełną parą w czwartym kwartale br. (pierwsze, próbne egzemplarze układów są już testowane przez wybranych producentów pamięci masowych).

Są to układy o pojemności 32 Gb zajmujące powierzchnię 126 milimetrów kwadratowych, produkowane przy użyciu technologii 34 nanometrów. Spółka zapowiada, że pracuje już nad podobnymi układami pamięci wytwarzanymi przy użyciu technologii 24 nanometrów.

Inne firmy pracują również nad układami flash typu MLC opartymi na technologii x3 (trzy bity na komórkę), a nawet x4 (cztery bity na komórkę). I tak układy MLC x3 ma zamiar wprowadzić do swojej oferty jeszcze w tym roku firma Samsung (czytaj tutaj), a układy MLC x3 oraz x4 zapowiedziała firma Sandisk, która zaprezentowała nawet na początku br. pamięci flash MLC x4 wyprodukowane przy użyciu technologii 32 nm (pisaliśmy o tym tutaj). Pamięć MLC x3 zademonstrowała też kilka miesięcy temu koreańska firma Hynix (zdjęcie obok).

Największą zaletą układów MLC zawierających komórki o podwyższonej gęstości bitów jest niska cena przechowywania jednego bitu danych. Do wad należy natomiast zaliczyć nieco mniejszą szybkość pracy w porównaniu z układami MLC x2.